CDR34BX563BMZSAC,CDR34BX563BMZSAC pdf中文资料,CDR34BX563BMZSAC引脚图,CDR34BX563BMZSAC电路-Datasheet-电子工程世界

CDR34BX563BMZSAC: 产品描述CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 100 V, BX, 0.056 uF, SURFACE MOUNT, 1812, CHIP; 产品类别无源元件电容器; 文件大小104KB，共11页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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CDR34BX563BMZSAC概述

CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 100 V, BX, 0.056 uF, SURFACE MOUNT, 1812, CHIP

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	, 1812
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
电容	0.056 µF
电容器类型	CERAMIC CAPACITOR
介电材料	CERAMIC
JESD-609代码	e0
制造商序列号	CDR
安装特点	SURFACE MOUNT
多层	Yes
负容差	20%
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装形状	RECTANGULAR PACKAGE
包装方法	TR, PUNCHED PAPER, 7 INCH
正容差	20%
额定（直流）电压（URdc）	100 V
参考标准	MIL-PRF-55681
尺寸代码	1812
表面贴装	YES
温度特性代码	BX
温度系数	15% ppm/°C
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrie
端子形状	WRAPAROUND

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