1-Wire SHA-1 Authenticated 1Kb EEPROM with 1.8V Operation
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOC, SOC6,.17 |
针数 | 6 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 6 weeks |
数据保留时间-最小值 | 40 |
耐久性 | 50000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-C6 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 3.94 mm |
内存密度 | 1024 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 1 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 6 |
字数 | 1024 words |
字数代码 | 1000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -20 °C |
组织 | 1KX1 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOC |
封装等效代码 | SOC6,.17 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 1.8/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.5 mm |
串行总线类型 | 1-WIRE |
最大供电电压 (Vsup) | 3.65 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.75 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | C BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 3.76 mm |
Base Number Matches | 1 |
DS28E02P+ | DS28E02_12 | DS28E02 | DS28E02P+R | DS28E02P+T | DS28E02P+TR | DS28E02Q+R | DS28E02Q+T | DS28E02Q+TR | |
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描述 | 1-Wire SHA-1 Authenticated 1Kb EEPROM with 1.8V Operation | 1-Wire SHA-1 Authenticated 1Kb EEPROM with 1.8V Operation | 1-Wire SHA-1 Authenticated 1Kb EEPROM with 1.8V Operation | 1-Wire SHA-1 Authenticated 1Kb EEPROM with 1.8V Operation | 1-Wire SHA-1 Authenticated 1Kb EEPROM with 1.8V Operation | 1-Wire SHA-1 Authenticated 1Kb EEPROM with 1.8V Operation | 1-Wire SHA-1 Authenticated 1Kb EEPROM with 1.8V Operation | 1-Wire SHA-1 Authenticated 1Kb EEPROM with 1.8V Operation | 1-Wire SHA-1 Authenticated 1Kb EEPROM with 1.8V Operation |
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