(256 x 4) 1024-BIT TTL PROM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 40 ns |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.43 mm |
| 内存密度 | 1024 bi |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 字数 | 256 words |
| 字数代码 | 256 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 256X4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大压摆率 | 0.13 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| DM54S287AJ | DM54S287 | DM54S287J | DM74S287 | DM74S287AJ | DM74S287AN | DM74S287AV | DM74S287J | DM74S287N | DM74S287V | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | (256 x 4) 1024-BIT TTL PROM | (256 x 4) 1024-BIT TTL PROM | (256 x 4) 1024-BIT TTL PROM | (256 x 4) 1024-BIT TTL PROM | (256 x 4) 1024-BIT TTL PROM | (256 x 4) 1024-BIT TTL PROM | (256 x 4) 1024-BIT TTL PROM | (256 x 4) 1024-BIT TTL PROM | (256 x 4) 1024-BIT TTL PROM | (256 x 4) 1024-BIT TTL PROM |
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