Triple 3-Input NAND Gates
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
包装说明 | CERAMIC, DIP-14 |
Reach Compliance Code | unknow |
Is Samacsys | N |
系列 | LS |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 19.43 mm |
逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
最大I(ol) | 0.004 A |
功能数量 | 3 |
输入次数 | 3 |
端子数量 | 14 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP14,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
最大电源电流(ICC) | 3.3 mA |
Prop。Delay @ Nom-Su | 15 ns |
传播延迟(tpd) | 15 ns |
认证状态 | Not Qualified |
施密特触发器 | NO |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | TTL |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm |
Base Number Matches | 1 |
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