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DM54LS10J

产品描述Triple 3-Input NAND Gates
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小121KB,共6页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数

DM54LS10J概述

Triple 3-Input NAND Gates

DM54LS10J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
包装说明CERAMIC, DIP-14
Reach Compliance Codeunknow
Is SamacsysN
系列LS
JESD-30 代码R-GDIP-T14
JESD-609代码e0
长度19.43 mm
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.004 A
功能数量3
输入次数3
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
最大电源电流(ICC)3.3 mA
Prop。Delay @ Nom-Su15 ns
传播延迟(tpd)15 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术TTL
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1
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