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RN1102(TE85L,F)

产品描述PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小567KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1102(TE85L,F)概述

PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416

RN1102(TE85L,F)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)50
元件数量1
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON

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RN1101∼RN1106
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1101, RN1102, RN1103,
RN1104, RN1105, RN1106
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduced number of parts and simplified manufacturing process
Complementary to RN2101~ RN2106
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
Type No.
RN1101
RN1102
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1101~1106
RN1101~1106
RN1101~1104
RN1105, 1106
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
50
50
10
5
100
100
150
−55~150
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2H1A
Weight: 2.4 mg (typ).
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
1
2007-11-01

RN1102(TE85L,F)相似产品对比

RN1102(TE85L,F) RN1106(TE85L,F) RN1105(TE85L,F) RN1101(TE85L,F)
描述 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416 PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 50 80 80 30
元件数量 1 1 1 1
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W
表面贴装 YES YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
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