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BQ4311LSH-N100

产品描述32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA28, SNAPHAT MODULE-28
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文件大小455KB,共11页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

BQ4311LSH-N100概述

32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA28, SNAPHAT MODULE-28

BQ4311LSH-N100规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码MODULE
包装说明,
针数28
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
JESD-30 代码R-XDMA-G28
内存密度262144 bi
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

BQ4311LSH-N100相似产品对比

BQ4311LSH-N100 BQ4311YSH-N70
描述 32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA28, SNAPHAT MODULE-28 32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA28, SNAPHAT MODULE-28
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 MODULE MODULE
针数 28 28
Reach Compliance Code unknow unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最长访问时间 100 ns 70 ns
JESD-30 代码 R-XDMA-G28 R-XDMA-G28
内存密度 262144 bi 262144 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 28 28
字数 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 32KX8 32KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
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