L-S BAND, 3.9pF, 45V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | TE Connectivity(泰科) |
包装说明 | O-CEMW-N2 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW LEAKAGE |
最小击穿电压 | 45 V |
配置 | SINGLE |
二极管电容容差 | 10% |
最小二极管电容比 | 5.3 |
标称二极管电容 | 3.9 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
频带 | L BAND TO S BAND |
JESD-30 代码 | O-CEMW-N2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | MICROWAVE |
最大功率耗散 | 0.2 W |
认证状态 | Not Qualified |
最小质量因数 | 2200 |
最大反向电流 | 0.02 µA |
反向测试电压 | 36 V |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | END |
变容二极管分类 | ABRUPT |
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