Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 400V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Supertex |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 400 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.7 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.7 A |
最大漏源导通电阻 | 6 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 50 pF |
JEDEC-95代码 | TO-39 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 6 W |
最大功率耗散 (Abs) | 6 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
VP0340N2 | VP0335N1 | VP0335N2 | |
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描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 400V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 350V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 350V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 400 V | 350 V | 350 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.7 A | 2.7 A | 0.7 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.7 A | 2.7 A | 0.7 A |
最大漏源导通电阻 | 6 Ω | 6 Ω | 6 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
JEDEC-95代码 | TO-39 | TO-3 | TO-39 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBFM-P2 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 2 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | FLANGE MOUNT | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 6 W | 100 W | 6 W |
最大功率耗散 (Abs) | 6 W | 100 W | 6 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE | PIN/PEG | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
厂商名称 | Supertex | - | Supertex |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
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