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TP0616N2

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 160V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小201KB,共4页
制造商Supertex
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TP0616N2概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 160V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39

TP0616N2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Supertex
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW THRESHOLD
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压160 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.6 A
最大漏极电流 (ID)0.6 A
最大漏源导通电阻12 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)35 pF
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值6 W
最大功率耗散 (Abs)6 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

TP0616N2相似产品对比

TP0616N2 TP0616N5 TP0620N2 TP0616ND TP0620ND
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 160V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 160V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 Small Signal Field-Effect Transistor, 160V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3 Small Signal Field-Effect Transistor, 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Supertex Supertex Supertex Supertex Supertex
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 UNCASED CHIP, S-XUUC-N3 UNCASED CHIP, S-XUUC-N3
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW THRESHOLD LOW THRESHOLD LOW THRESHOLD LOW THRESHOLD LOW THRESHOLD
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 160 V 160 V 200 V 160 V 200 V
最大漏源导通电阻 12 Ω 12 Ω 12 Ω 12 Ω 12 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 35 pF 35 pF 35 pF 35 pF 35 pF
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 R-PSFM-T3 O-MBCY-W3 S-XUUC-N3 S-XUUC-N3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL PLASTIC/EPOXY METAL UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND RECTANGULAR ROUND SQUARE SQUARE
封装形式 CYLINDRICAL FLANGE MOUNT CYLINDRICAL UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WIRE THROUGH-HOLE WIRE NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM SINGLE BOTTOM UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN - -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.6 A 1.4 A 0.6 A - -
最大漏极电流 (ID) 0.6 A 1.4 A 0.6 A - -
JEDEC-95代码 TO-39 TO-220AB TO-39 - -
功耗环境最大值 6 W 45 W 6 W - -
最大功率耗散 (Abs) 6 W 45 W 6 W - -
零件包装代码 - SFM - DIE DIE
针数 - 3 - 3 3

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