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NAND02GR4B2DN6F

产品描述IC,EEPROM,NAND FLASH,128MX16,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC
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文件大小996KB,共69页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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NAND02GR4B2DN6F概述

IC,EEPROM,NAND FLASH,128MX16,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC

NAND02GR4B2DN6F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明TSSOP, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PDSO-G48
内存密度2147483648 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
部门数/规模2K
端子数量48
字数134217728 words
字数代码128000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小1K words
并行/串行PARALLEL
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
部门规模64K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.02 mA
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
切换位NO
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