NAND01GR3B3AV6E,NAND01GR3B3AV6E pdf中文资料,NAND01GR3B3AV6E引脚图,NAND01GR3B3AV6E电路-Datasheet-电子工程世界

NAND01GR3B3AV6E: 产品描述128MX8 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48; 产品类别存储存储; 文件大小999KB，共59页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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NAND01GR3B3AV6E概述

128MX8 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	VSSOP, TSSOP48,.71,20
针数	48
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	35 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
长度	15.4 mm
内存密度	1073741824 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	1K
端子数量	48
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSSOP
封装等效代码	TSSOP48,.71,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小	2K words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	0.65 mm
部门规模	128K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
宽度	12 mm

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