M74HCT04F1,M74HCT04F1 pdf中文资料,M74HCT04F1引脚图,M74HCT04F1电路-Datasheet-电子工程世界

M74HCT04F1: 产品描述HCT SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, CDIP14, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14; 产品类别逻辑逻辑; 文件大小109KB，共4页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M74HCT04F1概述

HCT SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, CDIP14, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14

M74HCT04F1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP14,.3
针数	14
Reach Compliance Code	_compli
系列	HCT
JESD-30 代码	R-GDIP-T14
JESD-609代码	e0
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	INVERTER
最大I（ol）	0.004 A
功能数量	6
输入次数	1
端子数量	14
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
Prop。Delay @ Nom-Su	25 ns
传播延迟（tpd）	25 ns
认证状态	Not Qualified
施密特触发器	NO
座面最大高度	5 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

M74HCT04F1相似产品对比

	M74HCT04F1	M74HCT04M1	M74HCT04B1N	M74HCT04C1	M54HCT04F1
描述	HCT SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, CDIP14, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14	HCT SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, PDSO14, MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-14	HCT SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, PDIP14, PLASTIC, DIP-14	HCT SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, PQCC20, PLASTIC, CC-20	HCT SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, CDIP14, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	SOIC	DIP	QFN	DIP
包装说明	DIP, DIP14,.3	SOP, SOP14,.25	DIP, DIP14,.3	PLASTIC, CC-20	DIP, DIP14,.3
针数	14	14	14	20	14
Reach Compliance Code	_compli	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
系列	HCT	HCT	HCT	HCT	HCT
JESD-30 代码	R-GDIP-T14	R-PDSO-G14	R-PDIP-T14	S-PQCC-J20	R-GDIP-T14
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF
逻辑集成电路类型	INVERTER	INVERTER	INVERTER	INVERTER	INVERTER
最大I（ol）	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A
功能数量	6	6	6	6	6
输入次数	1	1	1	1	1
端子数量	14	14	14	20	14
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	SOP	DIP	QCCJ	DIP
封装等效代码	DIP14,.3	SOP14,.25	DIP14,.3	LDCC20,.4SQ	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
传播延迟（tpd）	25 ns	25 ns	25 ns	25 ns	30 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
施密特触发器	NO	NO	NO	NO	NO
座面最大高度	5 mm	1.75 mm	5.1 mm	4.57 mm	5 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	3.9 mm	7.62 mm	8.9662 mm	7.62 mm
厂商名称	ST(意法半导体)	-	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
Prop。Delay @ Nom-Sup	-	25 ns	25 ns	25 ns	30 ns

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