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M74HC386C1

产品描述HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, PQCC20, PLASTIC, CC-20
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小107KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M74HC386C1概述

HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, PQCC20, PLASTIC, CC-20

M74HC386C1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码QFN
包装说明PLASTIC, CC-20
针数20
Reach Compliance Code_compli
系列HC/UH
JESD-30 代码S-PQCC-J20
JESD-609代码e0
长度8.9662 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型XOR GATE
最大I(ol)0.004 A
功能数量4
输入次数2
端子数量20
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC20,.4SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Su30 ns
传播延迟(tpd)30 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)6 V
最小供电电压 (Vsup)2 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8.9662 mm

M74HC386C1相似产品对比

M74HC386C1 M54HC386F1 M74HC386B1N M74HC386M1 M74HC386F1
描述 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, PQCC20, PLASTIC, CC-20 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, CDIP14, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, PDIP14, PLASTIC, DIP-14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, PDSO14, MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, CDIP14, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 QFN DIP DIP SOIC DIP
包装说明 PLASTIC, CC-20 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 SOP, SOP14,.25 DIP, DIP14,.3
针数 20 14 14 14 14
Reach Compliance Code _compli not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
系列 HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 S-PQCC-J20 R-GDIP-T14 R-PDIP-T14 R-PDSO-G14 R-GDIP-T14
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 XOR GATE XOR GATE XOR GATE XOR GATE XOR GATE
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
功能数量 4 4 4 4 4
输入次数 2 2 2 2 2
端子数量 20 14 14 14 14
最高工作温度 85 °C 125 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -55 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 QCCJ DIP DIP SOP DIP
封装等效代码 LDCC20,.4SQ DIP14,.3 DIP14,.3 SOP14,.25 DIP14,.3
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2/6 V 2/6 V 2/6 V 2/6 V 2/6 V
传播延迟(tpd) 30 ns 36 ns 30 ns 30 ns 30 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO NO NO NO
座面最大高度 4.57 mm 5 mm 5.1 mm 1.75 mm 5 mm
最大供电电压 (Vsup) 6 V 6 V 6 V 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL MILITARY INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 8.9662 mm 7.62 mm 7.62 mm 3.9 mm 7.62 mm
厂商名称 ST(意法半导体) - ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
Prop。Delay @ Nom-Sup - 36 ns 30 ns 30 ns 30 ns
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