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M58BW032BB60ZA6

产品描述IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX32,CMOS,BGA,80PIN,PLASTIC
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文件大小826KB,共60页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M58BW032BB60ZA6概述

IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX32,CMOS,BGA,80PIN,PLASTIC

M58BW032BB60ZA6规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明BGA, BGA80,8X10,40
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间60 ns
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B80
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度32
部门数/规模4,8,62
端子数量80
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA80,8X10,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
页面大小4 words
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
部门规模4K,2K,16K
最大待机电流0.0001 A
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
切换位NO
类型NOR TYPE

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M58BW032BT, M58BW032BB
M58BW032DT, M58BW032DB
32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst)
3.3V Supply Flash Memory
PRELIMINARY DATA
FEATURES SUMMARY
SUPPLY VOLTAGE
– V
DD
= 3.0V to 3.6V for Program, Erase
and Read
– V
DDQ
= V
DDQIN
= 1.6V to 3.6V for I/O
Buffers
HIGH PERFORMANCE
– Access Time: 45, 55 and 60ns
– 75MHz Effective Zero Wait-State Burst
Read
– Synchronous Burst Reads
– Asynchronous Page Reads
MEMORY ORGANIZATION
– Eight 64 Kbit small parameter Blocks
– Four 128Kbit large parameter Blocks (of
which one is OTP)
– Sixty-two 512Kbit main Blocks
Figure 1. Packages
PQFP80 (T)
BGA
HARDWARE BLOCK PROTECTION
– WP pin Lock Program and Erase
– V
PEN
signal for Program/Erase Enable
SOFTWARE BLOCK PROTECTION
– Tuning Protection to Lock Program and
Erase with 64-bit User Programmable
Password (M58BW032B version only)
SECURITY
– 64-bit Unique Device Identifier (UID)
FAST PROGRAMMING
– Write to Buffer and Program capability
OPTIMIZED FOR FDI DRIVERS
– Common Flash Interface (CFI)
– Fast Program/Erase Suspend feature in
each block
LOW POWER CONSUMPTION
– 100µA Typical Standby
LBGA80 (ZA)
10 x 8 ball array
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 20h
– Top Device Code M58BW032xT: 8838h
– Bottom Device Code M58BW032xB:
8837h
OPERATING TEMPERATURE RANGE
– Automotive (Grade 3):
40 to 125°C
– Industrial (Grade 6):
40 to 90°C
November 2004
1/60
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

M58BW032BB60ZA6相似产品对比

M58BW032BB60ZA6 M58BW032BB60ZA3 M58BW032BB60T3 M58BW032BB60T6
描述 IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX32,CMOS,BGA,80PIN,PLASTIC IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX32,CMOS,BGA,80PIN,PLASTIC IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX32,CMOS,QFP,80PIN,PLASTIC IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX32,CMOS,QFP,80PIN,PLASTIC
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
包装说明 BGA, BGA80,8X10,40 BGA, BGA80,8X10,40 QFP, QFP80,.7X.9,32 QFP, QFP80,.7X.9,32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 60 ns 60 ns 60 ns 60 ns
启动块 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
命令用户界面 YES YES YES YES
通用闪存接口 YES YES YES YES
数据轮询 NO NO NO NO
JESD-30 代码 R-PBGA-B80 R-PBGA-B80 R-PQFP-G80 R-PQFP-G80
内存密度 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 32 32 32 32
部门数/规模 4,8,62 4,8,62 4,8,62 4,8,62
端子数量 80 80 80 80
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000
最高工作温度 85 °C 125 °C 125 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 1MX32 1MX32 1MX32 1MX32
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA QFP QFP
封装等效代码 BGA80,8X10,40 BGA80,8X10,40 QFP80,.7X.9,32 QFP80,.7X.9,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY FLATPACK FLATPACK
页面大小 4 words 4 words 4 words 4 words
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
部门规模 4K,2K,16K 4K,2K,16K 4K,2K,16K 4K,2K,16K
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL GULL WING GULL WING
端子节距 1 mm 1 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM QUAD QUAD
切换位 NO NO NO NO
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
Base Number Matches - 1 1 1
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