HYM72V32M656T6-H,HYM72V32M656T6-H pdf中文资料,HYM72V32M656T6-H引脚图,HYM72V32M656T6-H电路-Datasheet-电子工程世界

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HYM72V32M656T6-H: 产品描述Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, SODIMM-144; 产品类别存储存储; 文件大小178KB，共13页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HYM72V32M656T6-H概述

Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, SODIMM-144

HYM72V32M656T6-H规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM,
针数	144
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N144
JESD-609代码	e4
内存密度	2147483648 bi
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

HYM72V32M656T6-H相似产品对比

	HYM72V32M656T6-H	HYM72V32M656LT6-H	HYM72V32M636T6-HP	HYM72V32M636LT6-HP
描述	Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, SODIMM-144
是否无铅	含铅	含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,
针数	144	144	144	144
Reach Compliance Code	compli	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4
内存密度	2147483648 bi	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	144	144	144	144
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20	20

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