Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SML400HB01MF

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SML400HB01MF: 产品描述400A, N-CHANNEL IGBT, METAL PACKAGE-9; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小638KB，共9页; 制造商SEMELAB

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SML400HB01MF概述

400A, N-CHANNEL IGBT, METAL PACKAGE-9

SML400HB01MF规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SEMELAB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MUFM-X9
针数	9
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH REALIBILITY
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	400 A
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码	R-MUFM-X9
元件数量	2
端子数量	9
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	240 ns
标称接通时间 (ton)	110 ns

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SML400HB01MF

Attributes:

-aerospace build standard

-high reliability

-lightweight

-metal matrix base plate

-AlN isolation

-Mosfet module

Maximum rated values/Electrical Properties

Repetitive peak Drain Current

Total Power Dissipation

O IN

PY A

tp=1msec,Tc=80C

DSS

Vge

(th)

GSS

DSS

DC Collector Current I

D25

Tc=25C

Tc=25C,Tvj=175C

MIN

100

3.0

Source-drain voltage V

DSS

Tj=25C to 175C

Rgs=1MΩ

DSS

100

400

600

1700

, nom

crm

tot

Tc=25C

Gate-emitter peak voltage

Repetitive Peak

Forward Current

Isolation voltage

Continuous

Transient

tp=1msec

frm

isol

TYP

+/-20

=/-30

600

2500

MAX

Drain-source breakdown

voltage

Gate Threshold voltage

RMS, 50Hz, t=1min

=250µA,V

=0V,

Tc=25C

=8mA,V

, Tvj=25C

15200

5800

1720

470

100

270

+/-200

f=1MHz,Tvj=25C,Vgs=0V,V

=0V

Tvj=25C,V

=0.5V

DSS

,ID=0.5I

D25,

=10V

Gate-source leakage

current

Drain source leakage

current

=+/-20V,

=0V,Tvj=25C

=20V,

Tvj=25C

Tvj=150C

Tvj=175C

µA

SML400HB01MF相似产品对比

	SML400HB01MF
描述	400A, N-CHANNEL IGBT, METAL PACKAGE-9
厂商名称	SEMELAB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MUFM-X9
针数	9
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH REALIBILITY
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	400 A
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码	R-MUFM-X9
元件数量	2
端子数量	9
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	240 ns
标称接通时间 (ton)	110 ns

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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