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KM736V849T-67: 产品描述ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小1008KB，共18页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KM736V849T-67概述

ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

KM736V849T-67规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.8 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	149 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	9437184 bi
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	100
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.42 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
宽度	14 mm

KM736V849T-67相似产品对比

	KM736V849T-67	KM736V849H-10	KM736V849H-75	KM736V849H-67
描述	ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100	ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	QFP	BGA	BGA	BGA
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50
针数	100	119	119	119
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.8 ns	5 ns	4.2 ns	3.8 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	SELF-TIMED WRITE CYCLE; POWER DOWN OPTION	SELF-TIMED WRITE CYCLE; POWER DOWN OPTION	SELF-TIMED WRITE CYCLE; POWER DOWN OPTION
最大时钟频率 (fCLK)	149 MHz	100 MHz	133 MHz	149 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	20 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	9437184 bi	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bi
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	36	36	36	36
功能数量	1	1	1	1
端子数量	100	119	119	119
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX36	256KX36	256KX36	256KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.01 A	0.03 A	0.03 A	0.03 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.42 mA	0.3 mA	0.37 mA	0.42 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.65 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

KM736V849T-67

KM736V849T-67概述

KM736V849T-67规格参数

KM736V849T-67相似产品对比

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