K7P323674C-HC300,K7P323674C-HC300 pdf中文资料,K7P323674C-HC300引脚图,K7P323674C-HC300电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K7P323674C-HC300

K7P323674C-HC300: 产品描述Late-Write SRAM, 1MX36, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小450KB，共15页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K7P323674C-HC300概述

Late-Write SRAM, 1MX36, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119

K7P323674C-HC300规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50
针数	119
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	1.6 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	300 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	37748736 bit
内存集成电路类型	LATE-WRITE SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	119
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.21 mm
最大待机电流	0.07 A
最小待机电流	2.37 V
最大压摆率	0.62 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm

K7P323674C-HC300相似产品对比

	K7P323674C-HC300	K7P321874C-HC250	K7P323674C-GC250	K7P321874C-GC250	K7P321874C-HC300	K7P321874C-GC300	K7P323674C-GC300	K7P323674C-HC250
描述	Late-Write SRAM, 1MX36, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119	Late-Write SRAM, 2MX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119	Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-119	Late-Write SRAM, 2MX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-119	Late-Write SRAM, 2MX18, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119	Late-Write SRAM, 2MX18, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-119	Late-Write SRAM, 1MX36, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-119	Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	符合	不符合	符合	符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-119	BGA, BGA119,7X17,50
针数	119	119	119	119	119	119	119	119
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	1.6 ns	2 ns	2 ns	2 ns	1.6 ns	1.6 ns	1.6 ns	2 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATE AT 2.5V SUPPLY	PIPELINED ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATE AT 2.5V SUPPLY	PIPELINED ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATE AT 2.5V SUPPLY	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATE AT 2.5V SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK)	300 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz	300 MHz	300 MHz	300 MHz	250 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	e0	e1	e1	e0	e1	e1	e0
长度	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit
内存集成电路类型	LATE-WRITE SRAM	LATE-WRITE SRAM	LATE-WRITE SRAM	LATE-WRITE SRAM	LATE-WRITE SRAM	LATE-WRITE SRAM	LATE-WRITE SRAM	LATE-WRITE SRAM
内存宽度	36	18	36	18	18	18	36	36
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	119	119	119	119	119	119	119
字数	1048576 words	2097152 words	1048576 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	2000000	1000000	2000000	2000000	2000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX36	2MX18	1MX36	2MX18	2MX18	2MX18	1MX36	1MX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	260	260	225	260	260	225
电源	2.5 V	1.8,2.5 V	1.8,2.5 V	1.8,2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	1.8,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.21 mm	2.21 mm	2.21 mm	2.21 mm	2.21 mm	2.21 mm	2.21 mm	2.21 mm
最大待机电流	0.07 A	0.07 A	0.07 A	0.07 A	0.07 A	0.07 A	0.07 A	0.07 A
最小待机电流	2.37 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	1.7 V
最大压摆率	0.62 mA	0.5 mA	0.55 mA	0.5 mA	0.57 mA	0.57 mA	0.62 mA	0.55 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN LEAD	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN LEAD
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	40	40	30	40	40	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	-	-

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