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K7P323666M-HC250

产品描述Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
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文件大小447KB,共14页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K7P323666M-HC250概述

Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119

K7P323666M-HC250规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数119
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间2 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATE AT 1.8V SUPPLY
JESD-30 代码R-PBGA-B119
长度22 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型LATE-WRITE SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量119
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.21 mm
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
宽度14 mm
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