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K6R4016C1C-TI120

产品描述Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44
产品类别存储    存储   
文件大小185KB,共11页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K6R4016C1C-TI120概述

Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44

K6R4016C1C-TI120规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明TSOP, TSOP44,.46,32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.01 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.19 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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