NTP90N02G,NTP90N02G pdf中文资料,NTP90N02G引脚图,NTP90N02G电路-Datasheet-电子工程世界

NTP90N02G: 产品描述90A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小752KB，共9页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/; 标准

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NTP90N02G概述

90A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN

NTP90N02G规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Rochester Electronics
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN
针数	3
制造商包装代码	CASE 221A-09
Reach Compliance Code	unknow
雪崩能效等级（Eas）	733 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	24 V
最大漏极电流 (ID)	90 A
最大漏源导通电阻	0.0058 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	NOT SPECIFIED
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A
认证状态	COMMERCIAL
表面贴装	NO
端子面层	MATTE TIN
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

NTP90N02G相似产品对比

	NTP90N02G	NTB90N02T4G	NTB90N02T4	NTP90N02
描述	90A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN	90A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3	90A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418AA-01, D2PAK-3	90A, 24V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, CASE 221A-09, 3 PIN
是否无铅	不含铅	不含铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合
包装说明	LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN	LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3	CASE 418AA-01, D2PAK-3	CASE 221A-09, 3 PIN
针数	3	3	3	3
制造商包装代码	CASE 221A-09	CASE 418AA-01	CASE 418AA-01	CASE 221A-09
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown
雪崩能效等级（Eas）	733 mJ	733 mJ	733 mJ	733 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	24 V	24 V	24 V	24 V
最大漏极电流 (ID)	90 A	90 A	90 A	90 A
最大漏源导通电阻	0.0058 Ω	0.0058 Ω	0.0058 Ω	0.0058 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3	e3	e0	e0
湿度敏感等级	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	1	NOT SPECIFIED
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	2	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	240	240
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A	200 A	200 A	200 A
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
表面贴装	NO	YES	YES	NO
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40	NOT SPECIFIED	30	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	-	1	1	1

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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