CY7C182-45DMB,CY7C182-45DMB pdf中文资料,CY7C182-45DMB引脚图,CY7C182-45DMB电路-Datasheet-电子工程世界

CY7C182-45DMB: 产品描述Cache SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小364KB，共5页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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CY7C182-45DMB概述

Cache SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

CY7C182-45DMB规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Rochester Electronics
包装说明	DIP,
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	45 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码	R-GDIP-T28
长度	37.0205 mm
内存密度	73728 bi
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	9
功能数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8KX9
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm

CY7C182-45DMB相似产品对比

	CY7C182-45DMB	CY7C182-45LMB	CY7C182-55DMB	CY7C182-35DMB
描述	Cache SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28	Cache SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CQCC28, LCC-28	Cache SRAM, 8KX9, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28	Cache SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28
包装说明	DIP,	QCCN,	DIP,	DIP,
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	45 ns	45 ns	55 ns	35 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码	R-GDIP-T28	R-CQCC-N28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28
长度	37.0205 mm	13.97 mm	37.0205 mm	37.0205 mm
内存密度	73728 bi	73728 bit	73728 bit	73728 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	9	9	9	9
功能数量	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	8KX9	8KX9	8KX9	8KX9
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	QCCN	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
座面最大高度	5.08 mm	1.905 mm	5.08 mm	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	8.89 mm	7.62 mm	7.62 mm
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	-	Rochester Electronics

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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