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ISL6613CR-T

产品描述3A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO10, 3 X 3 MM, PLASTIC, DFN-10
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小615KB,共12页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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ISL6613CR-T概述

3A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO10, 3 X 3 MM, PLASTIC, DFN-10

ISL6613CR-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DFN
包装说明HVSON, SOLCC10,.11,20
针数10
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
高边驱动器YES
接口集成电路类型HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码S-PDSO-N10
JESD-609代码e0
长度3 mm
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量10
最高工作温度85 °C
最低工作温度
标称输出峰值电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装等效代码SOLCC10,.11,20
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5/12,12 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
最大供电电压12 V
最小供电电压5 V
电源电压1-最大13.2 V
电源电压1-分钟10.8 V
电源电压1-Nom12 V
表面贴装YES
温度等级COMMERCIAL EXTENDED
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3 mm
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