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HUFA76633S3ST

产品描述39A, 100V, 0.037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小136KB,共9页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HUFA76633S3ST概述

39A, 100V, 0.037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

HUFA76633S3ST规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)39 A
最大漏源导通电阻0.037 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

HUFA76633S3ST相似产品对比

HUFA76633S3ST BZX55B2VO HUFA76633S3S
描述 39A, 100V, 0.037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB SILICON PLANAR ZENER DIODES 39A, 100V, 0.037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknow - unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99
外壳连接 DRAIN - DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V - 100 V
最大漏极电流 (ID) 39 A - 39 A
最大漏源导通电阻 0.037 Ω - 0.037 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB - TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 - R-PSSO-G2
元件数量 1 - 1
端子数量 2 - 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 SINGLE - SINGLE
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
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