SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),8A I(T),TO-220
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknow |
标称电路换相断开时间 | 15 µs |
最大直流栅极触发电流 | 25 mA |
最大直流栅极触发电压 | 1.5 V |
最大维持电流 | 30 mA |
JESD-609代码 | e0 |
最大漏电流 | 2 mA |
通态非重复峰值电流 | 80 A |
最大通态电压 | 1.8 V |
最大通态电流 | 8000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 200 V |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
触发设备类型 | SCR |
MCR218-4FP | |
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描述 | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),8A I(T),TO-220 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
Reach Compliance Code | unknow |
标称电路换相断开时间 | 15 µs |
最大直流栅极触发电流 | 25 mA |
最大直流栅极触发电压 | 1.5 V |
最大维持电流 | 30 mA |
JESD-609代码 | e0 |
最大漏电流 | 2 mA |
通态非重复峰值电流 | 80 A |
最大通态电压 | 1.8 V |
最大通态电流 | 8000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 200 V |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
触发设备类型 | SCR |
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