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LCE2009SA

产品描述TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小217KB,共8页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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LCE2009SA概述

TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

LCE2009SA规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
最大集电极电流 (IC)0.25 A
集电极-发射极最大电压16 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
最高频带S BAND
JESD-30 代码O-CRPM-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值3.5 W
最小功率增益 (Gp)9 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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