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BLT80-T

产品描述UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小83KB,共12页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准  
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BLT80-T概述

UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR

BLT80-T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.25 A
基于收集器的最大容量3.5 pF
集电极-发射极最大电压10 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

BLT80-T相似产品对比

BLT80-T BLT80,115
描述 UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR TRANS NPN 10V 250MA SOT223
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 PLASTIC, SC-73, 4 PIN
Reach Compliance Code unknow compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.25 A 0.25 A
基于收集器的最大容量 3.5 pF 3.5 pF
集电极-发射极最大电压 10 V 10 V
配置 SINGLE SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 4 4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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