100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, DFN1006B-3, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | CHIP CARRIER, R-PBCC-N3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
JESD-30 代码 | R-PBCC-N3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
极性/信道类型 | PNP |
参考标准 | AEC-Q101; IEC-60134 |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 180 MHz |
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