SILICON CONTROLLED RECTIFIER,50V V(DRM),8A I(T),TO-225AA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 标称电路换相断开时间 | 15 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 50 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 60 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 2.5 V |
| 最大维持电流 | 70 mA |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大漏电流 | 2 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 80 A |
| 最大通态电压 | 2 V |
| 最大通态电流 | 8000 A |
| 最高工作温度 | 100 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 断态重复峰值电压 | 50 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 触发设备类型 | SCR |
| 2N4441 | 2N4444 | |
|---|---|---|
| 描述 | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,50V V(DRM),8A I(T),TO-225AA | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),8A I(T),TO-225AA |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 标称电路换相断开时间 | 15 µs | 15 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 50 V/us | 50 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 60 mA | 60 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 2.5 V | 2.5 V |
| 最大维持电流 | 70 mA | 70 mA |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 最大漏电流 | 2 mA | 2 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 80 A | 80 A |
| 最大通态电压 | 2 V | 2 V |
| 最大通态电流 | 8000 A | 8000 A |
| 最高工作温度 | 100 °C | 100 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 断态重复峰值电压 | 50 V | 600 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 触发设备类型 | SCR | SCR |
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