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NM27C210V200

产品描述IC 64K X 16 OTPROM, 200 ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44, Programmable ROM
产品类别存储    存储   
文件大小497KB,共9页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

NM27C210V200概述

IC 64K X 16 OTPROM, 200 ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44, Programmable ROM

NM27C210V200规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
包装说明QCCJ, LDCC44,.7SQ
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间200 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J44
JESD-609代码e0
长度16.51 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC44,.7SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.57 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度16.51 mm

NM27C210V200相似产品对比

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描述 IC 64K X 16 OTPROM, 200 ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44, Programmable ROM IC 64K X 16 OTPROM, 200 ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44, Programmable ROM IC 64K X 16 UVPROM, 200 ns, CDIP40, WINDOWED, CERAMIC, DIP-40, Programmable ROM IC 64K X 16 UVPROM, 200 ns, CDIP40, WINDOWED, CERAMIC, DIP-40, Programmable ROM IC 64K X 16 UVPROM, 200 ns, CDIP40, WINDOWED, CERAMIC, DIP-40, Programmable ROM
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI )
包装说明 QCCJ, LDCC44,.7SQ QCCJ, LDCC44,.7SQ WDIP, DIP40,.6 WDIP, DIP40,.6 WDIP, DIP40,.6
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 200 ns 200 ns 200 ns 200 ns 200 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PQCC-J44 S-PQCC-J44 R-GDIP-T40 R-GDIP-T40 R-GDIP-T40
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 1048576 bi 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM UVPROM UVPROM UVPROM
内存宽度 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 44 44 40 40 40
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C 125 °C 70 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C -55 °C -
组织 64KX16 64KX16 64KX16 64KX16 64KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 QCCJ QCCJ WDIP WDIP WDIP
封装等效代码 LDCC44,.7SQ LDCC44,.7SQ DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6
封装形状 SQUARE SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE, WINDOW IN-LINE, WINDOW IN-LINE, WINDOW
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.57 mm 4.57 mm 5.969 mm 5.969 mm 5.969 mm
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL MILITARY COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD QUAD DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 16.51 mm 16.51 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm
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