WMS512K8L-20CQ,WMS512K8L-20CQ pdf中文资料,WMS512K8L-20CQ引脚图,WMS512K8L-20CQ电路-Datasheet-电子工程世界

WMS512K8L-20CQ: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小279KB，共10页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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WMS512K8L-20CQ概述

Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	DIP
包装说明	0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
针数	32
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	20 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T32
JESD-609代码	e4
内存密度	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	512KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	GOLD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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