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WEDPN16M64VR-100BM

产品描述Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219
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文件大小424KB,共13页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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WEDPN16M64VR-100BM概述

Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219

WEDPN16M64VR-100BM规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数219
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO REFRESH
备用内存宽度32
JESD-30 代码R-PBGA-B219
内存密度1073741824 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量219
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16MX64
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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