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VS848X: 产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小70KB，共2页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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VS848X概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4

	VS848X	8D0E21ZC02BD674	VS448X
描述	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4	Robust Multiways Singlemode Connection	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4
包装说明	S-PUFM-W4	-	S-PUFM-W4
Reach Compliance Code	compli	-	compliant
外壳连接	ISOLATED	-	ISOLATED
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	-	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	-	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	-	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.6 V	-	1.5 V
JESD-30 代码	S-PUFM-W4	-	S-PUFM-W4
JESD-609代码	e0	-	e0
最大非重复峰值正向电流	35 A	-	35 A
元件数量	4	-	4
相数	1	-	1
端子数量	4	-	4
最高工作温度	135 °C	-	135 °C
最低工作温度	-50 °C	-	-50 °C
最大输出电流	2 A	-	2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE	-	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	800 V	-	400 V
最大反向恢复时间	0.2 µs	-	0.2 µs
表面贴装	NO	-	NO
端子面层	TIN LEAD	-	TIN LEAD
端子形式	WIRE	-	WIRE
端子位置	UPPER	-	UPPER

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ