PLAD30KP200CAE3,PLAD30KP200CAE3 pdf中文资料,PLAD30KP200CAE3引脚图,PLAD30KP200CAE3电路-Datasheet-电子工程世界

PLAD30KP200CAE3: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 200V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小269KB，共5页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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PLAD30KP200CAE3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 200V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	S-PSSO-G1
针数	1
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	245 V
最小击穿电压	222 V
击穿电压标称值	233.5 V
最大钳位电压	322 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	S-PSSO-G1
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值反向功率耗散	30000 W
元件数量	1
端子数量	1
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散	2.5 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	200 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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