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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> APT50M50JVR
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APT50M50JVR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 500V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小181KB，共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准  
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APT50M50JVR在线购买

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APT50M50JVR概述

Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 500V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4

APT50M50JVR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码ISOTOP
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数4
制造商包装代码ISOTOP
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）3600 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)77 A
最大漏源导通电阻0.05 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PUFM-X4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)308 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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