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LN2308LT3G

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小597KB,共5页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

LN2308LT3G概述

Small Signal Field-Effect Transistor,

LN2308LT3G规格参数

参数名称属性值
厂商名称LRC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)2.6 A
最大漏源导通电阻0.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

LN2308LT3G相似产品对比

LN2308LT3G LN2308LT1G S-LN2308LT1G S-LN2308LT3G
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, Small Signal Field-Effect Transistor, Small Signal Field-Effect Transistor, Small Signal Field-Effect Transistor,
厂商名称 LRC LRC LRC LRC
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 2.6 A 2.6 A 2.6 A 2.6 A
最大漏源导通电阻 0.1 Ω 0.1 Ω 0.1 Ω 0.1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON

 
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