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IXTQ90N15T

产品描述Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小243KB,共7页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
标准
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IXTQ90N15T概述

Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

IXTQ90N15T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Littelfuse
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompli
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)0.75 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压150 V
最大漏极电流 (ID)90 A
最大漏源导通电阻0.02 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)250 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IXTQ90N15T相似产品对比

IXTQ90N15T IXTA90N15T IXTP90N15T IXTH90N15T
描述 Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Littelfuse Littelfuse Littelfuse Littelfuse
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compli not_compliant compliant compliant
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 0.75 mJ 0.75 mJ 0.75 mJ 0.75 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 150 V 150 V 150 V 150 V
最大漏极电流 (ID) 90 A 90 A 90 A 90 A
最大漏源导通电阻 0.02 Ω 0.02 Ω 0.02 Ω 0.02 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3 e3 e1
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 2 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 250 A 250 A 250 A 250 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
JEDEC-95代码 - TO-263AB TO-220AB TO-247AD
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