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IXGN100N170

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小187KB,共6页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
标准
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IXGN100N170概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4

IXGN100N170规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Littelfuse
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
Reach Compliance Codecompli
其他特性LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)160 A
集电极-发射极最大电压1700 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值5 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)735 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Nickel (Ni)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)720 ns
标称接通时间 (ton)285 ns
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