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IXFN64N60P

产品描述Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MINIBLOC-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小190KB,共6页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
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IXFN64N60P在线购买

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IXFN64N60P概述

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MINIBLOC-4

IXFN64N60P规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Littelfuse
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Reach Compliance Codecompli
其他特性UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)3500 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)50 A
最大漏源导通电阻0.096 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PUFM-X4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)150 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Nickel (Ni)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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