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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SFN10B600D
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SFN10B600D

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, TO-252,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小165KB，共5页
制造商KODENSHI
官网地址http://www.kodenshi.co.jp
标准
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SFN10B600D概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, TO-252,

SFN10B600D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称KODENSHI
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)2.6 V
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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