4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | SOJ |
包装说明 | SOJ, |
针数 | 20 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | NIBBLE |
最长访问时间 | 100 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J20 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 17.15 mm |
内存密度 | 4194304 bi |
内存集成电路类型 | NIBBLE MODE DRAM |
内存宽度 | 1 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 20 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 4MX1 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 1024 |
座面最大高度 | 3.75 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 8.89 mm |
Base Number Matches | 1 |
TC514101J-10 | TC514101Z-10 | TC514101J | TC514101Z-80 | TC514101J-80 | |
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描述 | 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | - | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | SOJ | ZIP | - | ZIP | SOJ |
包装说明 | SOJ, | ZIP, | - | ZIP, | SOJ, |
针数 | 20 | 20 | - | 20 | 20 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | - | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | NIBBLE | NIBBLE | - | NIBBLE | NIBBLE |
最长访问时间 | 100 ns | 100 ns | - | 80 ns | 80 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | - | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J20 | R-PZIP-T20 | - | R-PZIP-T20 | R-PDSO-J20 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 | e0 |
长度 | 17.15 mm | 25.8 mm | - | 25.8 mm | 17.15 mm |
内存密度 | 4194304 bi | 4194304 bi | - | 4194304 bi | 4194304 bi |
内存集成电路类型 | NIBBLE MODE DRAM | NIBBLE MODE DRAM | - | NIBBLE MODE DRAM | NIBBLE MODE DRAM |
内存宽度 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
端子数量 | 20 | 20 | - | 20 | 20 |
字数 | 4194304 words | 4194304 words | - | 4194304 words | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 | 4000000 | - | 4000000 | 4000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C |
组织 | 4MX1 | 4MX1 | - | 4MX1 | 4MX1 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ | ZIP | - | ZIP | SOJ |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE | - | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 1024 | 1024 | - | 1024 | 1024 |
座面最大高度 | 3.75 mm | 10.16 mm | - | 10.16 mm | 3.75 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | - | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | NO | - | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | ZIG-ZAG | - | ZIG-ZAG | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
厂商名称 | - | Toshiba(东芝) | - | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
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