1,048,576 x 4 BIT DYNAMIC RAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | SOJ |
| 包装说明 | SOJ, |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE |
| 最长访问时间 | 80 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 17.15 mm |
| 内存密度 | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 |
| 座面最大高度 | 3.75 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.89 mm |
| TC514410J-80 | TC514410Z-80 | TC514410Z-10 | TC514410J-10 | TC514410J | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 1,048,576 x 4 BIT DYNAMIC RAM | 1,048,576 x 4 BIT DYNAMIC RAM | 1,048,576 x 4 BIT DYNAMIC RAM | 1,048,576 x 4 BIT DYNAMIC RAM | 1,048,576 x 4 BIT DYNAMIC RAM |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - |
| 零件包装代码 | SOJ | ZIP | ZIP | SOJ | - |
| 包装说明 | SOJ, | ZIP, | ZIP, | SOJ, | - |
| 针数 | 20 | 20 | 20 | 20 | - |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
| 访问模式 | FAST PAGE | FAST PAGE | FAST PAGE | FAST PAGE | - |
| 最长访问时间 | 80 ns | 80 ns | 100 ns | 100 ns | - |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J20 | R-PZIP-T20 | R-PZIP-T20 | R-PDSO-J20 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | - |
| 长度 | 17.15 mm | 25.8 mm | 25.8 mm | 17.15 mm | - |
| 内存密度 | 4194304 bi | 4194304 bi | 4194304 bi | 4194304 bi | - |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM | FAST PAGE DRAM | FAST PAGE DRAM | FAST PAGE DRAM | - |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 4 | 4 | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 20 | 20 | 20 | 20 | - |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words | 1048576 words | 1048576 words | - |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 | 1000000 | 1000000 | - |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | - |
| 组织 | 1MX4 | 1MX4 | 1MX4 | 1MX4 | - |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | SOJ | ZIP | ZIP | SOJ | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 刷新周期 | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 | - |
| 座面最大高度 | 3.75 mm | 10.16 mm | 10.16 mm | 3.75 mm | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | - |
| 表面贴装 | YES | NO | NO | YES | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | - |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子形式 | J BEND | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | J BEND | - |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | - |
| 端子位置 | DUAL | ZIG-ZAG | ZIG-ZAG | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
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