ST303C12CDH3,ST303C12CDH3 pdf中文资料,ST303C12CDH3引脚图,ST303C12CDH3电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> ST303C12CDH3

ST303C12CDH3: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, EPUK-3; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小172KB，共9页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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ST303C12CDH3概述

Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, EPUK-3

ST303C12CDH3规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	BUTTON
包装说明	DISK BUTTON, O-CEDB-N2
针数	2
Reach Compliance Code	compli
其他特性	HIGH SPEED
外壳连接	ISOLATED
标称电路换相断开时间	30 µs
配置	SINGLE
最大直流栅极触发电流	200 mA
最大直流栅极触发电压	3 V
最大维持电流	600 mA
JEDEC-95代码	TO-200AB
JESD-30 代码	O-CEDB-N2
JESD-609代码	e0
最大漏电流	50 mA
通态非重复峰值电流	8000 A
元件数量	1
端子数量	2
最大通态电流	620000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	1180 A
重复峰值关态漏电流最大值	50000 µA
断态重复峰值电压	1200 V
重复峰值反向电压	1200 V
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子位置	END
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR

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