80 V, SILICON, PIN DIODE
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | DFN |
| 包装说明 | LEADLESS, TSLP-4 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW DISTORTION |
| 应用 | SWITCHING |
| 最小击穿电压 | 80 V |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最大二极管电容 | 0.4 pF |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 最大二极管正向电阻 | 2.5 Ω |
| 二极管类型 | PIN DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.9 V |
| 频带 | L BAND |
| JESD-30 代码 | R-XBCC-N4 |
| 少数载流子标称寿命 | 0.5 µs |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散 | 0.25 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 80 V |
| 最大反向电流 | 0.05 µA |
| 反向测试电压 | 60 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| BAR88-07L4 | BAR88 | BAR88-02L | BAR88-099L4 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 80 V, SILICON, PIN DIODE | 80 V, SILICON, PIN DIODE | 80 V, SILICON, PIN DIODE | 80 V, SILICON, PIN DIODE |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | - | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | DFN | - | DFN | DFN |
| 包装说明 | LEADLESS, TSLP-4 | - | LEADLESS, TSLP-2 | LEADLESS, TSLP-4 |
| 针数 | 4 | - | 2 | 4 |
| Reach Compliance Code | unknown | - | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW DISTORTION | - | LOW DISTORTION | LOW DISTORTION |
| 应用 | SWITCHING | - | SWITCHING | SWITCHING |
| 最小击穿电压 | 80 V | - | 80 V | 80 V |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS | - | SINGLE | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最大二极管电容 | 0.4 pF | - | 0.4 pF | 0.4 pF |
| 二极管元件材料 | SILICON | - | SILICON | SILICON |
| 最大二极管正向电阻 | 2.5 Ω | - | 2.5 Ω | 2.5 Ω |
| 二极管类型 | PIN DIODE | - | PIN DIODE | PIN DIODE |
| 频带 | L BAND | - | L BAND | L BAND |
| JESD-30 代码 | R-XBCC-N4 | - | R-XBCC-N2 | R-XBCC-N4 |
| 少数载流子标称寿命 | 0.5 µs | - | 0.5 µs | 0.5 µs |
| 元件数量 | 2 | - | 1 | 2 |
| 端子数量 | 4 | - | 2 | 4 |
| 最高工作温度 | 125 °C | - | 125 °C | 125 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | - | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散 | 0.25 W | - | 0.25 W | 0.25 W |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 反向测试电压 | 60 V | - | 5 V | 60 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES | YES |
| 技术 | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE | - | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
| 端子形式 | NO LEAD | - | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 | 1 |
嵌入式系统
单片机
RF/无线
嵌入式系统
产业风云
微控制器 MCU
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
