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IS61NVP51236B-200B2

产品描述Standard SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028, BGA-119
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文件大小2MB,共37页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS61NVP51236B-200B2概述

Standard SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028, BGA-119

IS61NVP51236B-200B2规格参数

参数名称属性值
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明HBGA,
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间3 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B119
长度22 mm
内存密度18874368 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量119
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
并行/串行PARALLEL
座面最大高度3.5 mm
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
宽度14 mm
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