IS61NVP102436B-250B2I,IS61NVP102436B-250B2I pdf中文资料,IS61NVP102436B-250B2I引脚图,IS61NVP102436B-250B2I电路-Datasheet-电子工程世界

IS61NVP102436B-250B2I: 产品描述ZBT SRAM, 1MX36, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, MS-028, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共38页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61NVP102436B-250B2I概述

ZBT SRAM, 1MX36, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, MS-028, BGA-119

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50
针数	119
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	2.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	250 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
长度	22 mm
内存密度	37748736 bi
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	119
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.5 mm
最大待机电流	0.12 A
最小待机电流	2.38 V
最大压摆率	0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	14 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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