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IS61NLP12836EC-200B2I: 产品描述ZBT SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共40页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61NLP12836EC-200B2I概述

ZBT SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50
针数	119
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.1 ns
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
长度	22 mm
内存密度	4718592 bi
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	119
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.5 mm
最大待机电流	0.085 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	14 mm

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