IS49NLS18160-25EB,IS49NLS18160-25EB pdf中文资料,IS49NLS18160-25EB引脚图,IS49NLS18160-25EB电路-Datasheet-电子工程世界

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IS49NLS18160-25EB: 产品描述DDR DRAM, 16MX18, 2.5ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, FBGA-144; 产品类别存储存储; 文件大小639KB，共34页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS49NLS18160-25EB概述

DDR DRAM, 16MX18, 2.5ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, FBGA-144

IS49NLS18160-25EB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA
包装说明	11 X 18.50 MM, FBGA-144
针数	144
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	2.5 ns
其他特性	AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz
I/O 类型	SEPARATE
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B144
长度	18.5 mm
内存密度	301989888 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA144,12X18,40/32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
电源	1.5/1.8,1.8,2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.053 A
最大压摆率	0.98 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	11 mm

IS49NLS18160-25EB相似产品对比

	IS49NLS18160-25EB	IS49NLS93200-25EBL	IS49NLS93200-25EB	IS49NLS18160-25EBLI	IS49NLS93200-25EBI	IS49NLS18160-25EBI	IS49NLS93200-25EBLI
描述	DDR DRAM, 16MX18, 2.5ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, FBGA-144	DDR DRAM, 32MX9, 2.5ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, FBGA-144	DDR DRAM, 32MX9, 2.5ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, FBGA-144	DDR DRAM, 16MX18, 2.5ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, FBGA-144	DDR DRAM, 32MX9, 2.5ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, FBGA-144	DDR DRAM, 16MX18, 2.5ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, FBGA-144	DDR DRAM, 32MX9, 2.5ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, FBGA-144
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	符合	不符合	不符合	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	11 X 18.50 MM, FBGA-144	TBGA, BGA144,12X18,40/32	11 X 18.50 MM, FBGA-144	TBGA, BGA144,12X18,40/32	11 X 18.50 MM, FBGA-144	11 X 18.50 MM, FBGA-144	TBGA, BGA144,12X18,40/32
针数	144	144	144	144	144	144	144
Reach Compliance Code	compli	compliant	compliant	compliant	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	2.5 ns	2.5 ns	2.5 ns	2.5 ns	2.5 ns	2.5 ns	2.5 ns
其他特性	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz	400 MHz	400 MHz	400 MHz	400 MHz	400 MHz	400 MHz
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144
长度	18.5 mm	18.5 mm	18.5 mm	18.5 mm	18.5 mm	18.5 mm	18.5 mm
内存密度	301989888 bi	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bi	301989888 bi	301989888 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	18	9	9	18	9	18	9
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	144	144	144	144	144	144	144
字数	16777216 words	33554432 words	33554432 words	16777216 words	33554432 words	16777216 words	33554432 words
字数代码	16000000	32000000	32000000	16000000	32000000	16000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-	-	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	16MX18	32MX9	32MX9	16MX18	32MX9	16MX18	32MX9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA
封装等效代码	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
电源	1.5/1.8,1.8,2.5 V	1.5/1.8,1.8,2.5 V	1.5/1.8,1.8,2.5 V	1.5/1.8,1.8,2.5 V	1.5/1.8,1.8,2.5 V	1.5/1.8,1.8,2.5 V	1.5/1.8,1.8,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.053 A	0.053 A	0.053 A	0.053 A	0.053 A	0.053 A	0.053 A
最大压摆率	0.98 mA	0.98 mA	0.98 mA	0.98 mA	0.98 mA	0.98 mA	0.98 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm

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