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IS49NLS18160-18BI

产品描述DDR DRAM, 16MX18, 1.875ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, FBGA-144
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文件大小590KB,共34页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS49NLS18160-18BI概述

DDR DRAM, 16MX18, 1.875ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, FBGA-144

IS49NLS18160-18BI规格参数

参数名称属性值
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码BGA
包装说明TBGA,
针数144
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间1.875 ns
其他特性AUTO REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B144
长度18.5 mm
内存密度301989888 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度18
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度11 mm

IS49NLS18160-18BI相似产品对比

IS49NLS18160-18BI IS49NLS93200-18BL IS49NLS93200-18BI IS49NLS18160-18BLI IS49NLS93200-18B IS49NLS93200-18BLI IS49NLS18160-18B
描述 DDR DRAM, 16MX18, 1.875ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, FBGA-144 DDR DRAM, 32MX9, 1.875ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, FBGA-144 DDR DRAM, 32MX9, 1.875ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, FBGA-144 DDR DRAM, 16MX18, 1.875ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, FBGA-144 DDR DRAM, 32MX9, 1.875ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, FBGA-144 DDR DRAM, 32MX9, 1.875ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, FBGA-144 DDR DRAM, 16MX18, 1.875ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, FBGA-144
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TBGA, TBGA, TBGA, TBGA, TBGA, TBGA, TBGA,
针数 144 144 144 144 144 144 144
Reach Compliance Code compli compliant compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 1.875 ns 1.875 ns 1.875 ns 1.875 ns 1.875 ns 1.875 ns 1.875 ns
其他特性 AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144
长度 18.5 mm 18.5 mm 18.5 mm 18.5 mm 18.5 mm 18.5 mm 18.5 mm
内存密度 301989888 bi 301989888 bit 301989888 bi 301989888 bi 301989888 bi 301989888 bi 301989888 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 18 9 9 18 9 9 18
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 144 144 144 144 144 144 144
字数 16777216 words 33554432 words 33554432 words 16777216 words 33554432 words 33554432 words 16777216 words
字数代码 16000000 32000000 32000000 16000000 32000000 32000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C - -40 °C -
组织 16MX18 32MX9 32MX9 16MX18 32MX9 32MX9 16MX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TBGA TBGA TBGA TBGA TBGA TBGA TBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm

 
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