EEPROM, 512X8, Serial, MOS, PDIP8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| Reach Compliance Code | _compli |
| 数据保留时间-最小值 | 10 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 10100MDR |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 4096 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 512 words |
| 字数代码 | 512 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512X8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 0.02 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 写保护 | HARDWARE |
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